上海永上电器有限公司的RQ电阻器基本原理以及发展
RQ电阻器由电阻体、骨架和引出端三部分构成（实芯电阻器的电阻体与骨架合而为一），而决定阻值的只是电阻体。对于截面均匀的电阻体，电阻值为
电阻值式中ρ为电阻材料的电阻率（欧/厘米）；L为电阻体的长度（厘米）；A为电阻体的截面积（厘米）。
薄膜电阻体的厚度d很小，难于测准,且ρ又随厚度而变化，故把视为与薄膜材料有关的常数，称为膜电阻。实际上它就是正方形薄膜的阻值，故又称方阻(欧/方)。对于均匀薄膜薄膜阻值式中W为薄膜的宽度（厘米）。通常Rs应在一有限范围内，Rs太大会影响电阻器性能的稳定。因此圆柱形电阻体以刻槽方法，平面形电阻体用刻蚀迂回图形的方法来扩大其阻值范围，并进行阻值微调。
参数与特性 表征电阻特性的主要参数有标称阻值及其允许偏差、额定功率、负荷特性、电阻温度系数等。
标称阻值 用数字或色标在电阻器上标志的设计阻值。单位为欧（Ω）、千欧（kΩ）、兆欧（MΩ）、太欧（TΩ）。阻值按标准化优先数系列制造,系列数对应于允许偏差。
如何使用上表：四环电阻：一环数字（十位）二环数字（个位）*倍乘数 例;红橙黑金=23*10^0=23Ω(±5%)
五环电阻：一环数字（百位）二环数字（十位）三环数字（个位）*倍乘数例：红蓝绿黑棕=265*10^0=265Ω(±1%)
允许偏差 实际阻值与标称阻值间允许的zui大偏差，以百分比表示。常用的有±5%、±10%、±20%,精密的小于±1%，高精密的可达0.001%。精度由允许偏差和不可逆阻值变化二者决定。
额定功率 电阻器在额定温度（zui高环境温度）tR下连续工作所允许耗散的zui大功率。对每种电阻器同时还规定zui高工作电压，即当阻值较高时即使并未达到额定功率，也不能超过zui高工作电压使用。
负荷特性 当工作环境温度低于tR时，电阻器也不能超过其额定功率使用，当超过tR时，必须降低负荷功率。对每种电阻器都有规定的负荷特性。此外，在低气压下负荷允许相应降低。在脉冲负荷下，脉冲平均功率远低于额定功率，一般另有规定。
RQ电阻器发展
1885年英国C.布雷德利发明模压碳质实芯电阻器。1897年英国T.甘布里尔和A.哈里斯用含碳墨汁制成碳膜电阻器。1913～1919年英国W.斯旺和德国F.克鲁格先后发明金属膜电阻器。1925年德国西门子-哈尔斯克公司发明热分解碳膜电阻器，打破了碳质实芯电阻器垄断
市场的局面。晶体管问世后，对电阻器的小型化、阻值稳定性等指标要求更严，促进了各类新型电阻器的发展。美国贝尔实验室1959年研制成 TaN电阻器。60年代以来，采用滚筒磁控溅射、激光阻值微调等新工艺，部分产品向平面化、集成化、微型化及片状化方面发展。
更新时间：2014-02-13 
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